12月13日消息，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司擬將在中國(guó)芯片工廠的投資增加到80億美元，以提高NAND閃存芯片產(chǎn)量。
三星增加投資正值內(nèi)存芯片價(jià)格有望于明年反彈之際，由于供應(yīng)有限，市場(chǎng)對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的需求也在不斷上升。三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這類芯片可以可用于移動(dòng)設(shè)備、存儲(chǔ)卡、U盤和固態(tài)硬盤中。
2017年，三星宣布將在三年內(nèi)向位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元。在這些投資進(jìn)行之前，該公司曾向西安的一家測(cè)試和包裝工廠投資108億美元。三星對(duì)此拒絕置評(píng)。
三星在NAND閃存領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括韓國(guó)SK海力士(SK Hynix)和美國(guó)美光科技(Micron Technology)以及日本東芝，幾家中國(guó)企業(yè)也正試圖進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，但它們至今尚未取得太大成功，還不足以與這些巨頭競(jìng)爭(zhēng)。
今年秋季，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布，將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)64層3D NAND芯片，這是多數(shù)領(lǐng)先行業(yè)企業(yè)遵循的基準(zhǔn)。(小小)
