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臺(tái)積電6nm EUV搶手 芯片密度提升18%功耗降低8%

2021-06-25 13:53:27 來(lái)源:中關(guān)村在線(xiàn)

芯研所6月25日消息,做為全球第一大晶圓代工廠(chǎng),臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上遙遙領(lǐng)先其他對(duì)手,現(xiàn)在高通、聯(lián)發(fā)科及紫光展銳都在搶著下單,三家公司旗下的5G芯片都要上6nm EUV工藝。臺(tái)積電的6nm工藝基于7nm工藝改進(jìn)而來(lái),設(shè)計(jì)上是完全兼容的,多了一層EUV工藝,芯片密度提升了18%,功耗降低了8%,性能提升就不明顯了。

在全球手機(jī)芯片市場(chǎng)上,華為海思、三星主要是自產(chǎn)自用,外銷(xiāo)的很少,對(duì)外公開(kāi)供貨的主要是高通、聯(lián)發(fā)科,今年還多了紫光展銳,他們都有6nm工藝的5G芯片,比如天璣1200/1100、驍龍778G及唐古拉T770,不過(guò)T770的出貨速度慢了一些,要到7月份才能上市。

展銳T770號(hào)稱(chēng)是“全球首款全場(chǎng)景覆蓋增強(qiáng)5G基帶”,支持6GHz以下頻段、NSA/SA雙模組網(wǎng)、2G至5G七模全網(wǎng)通、雙卡雙5G、EPS回落、VoNR高清語(yǔ)音視頻通話(huà)等先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù),SA模式下行峰值速率可超過(guò)3.25Gbps,上傳則可達(dá)1.25Gbps。

同時(shí),它還支持5G NR TDD+FDD載波聚合(平均下行峰值速率提升30%)、3.5GHz+2.1GHz頻段上下行解耦(覆蓋半徑提升100%)、3.5+2.1GHz超級(jí)上行(近點(diǎn)峰值速率提升60%)、5G超級(jí)發(fā)射等,可解決增強(qiáng)型VR、4K/8K超高清視頻直播等業(yè)務(wù)需要更大上行帶寬的痛點(diǎn)。

性能方面,展銳T770集成了八個(gè)CPU核心,包括四個(gè)A76、四個(gè)A55,同時(shí)集成四個(gè)Mali-G57 GPU圖形核心,內(nèi)存支持2×16-bit LPDDR4X 2133MHz,存儲(chǔ)則支持eMMC 5.1、UFS 3.0。